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电子元器件详细资料 » IC[20691] » IXTQ18N60P
型号:IXTQ18N60P类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-3P-3,SC-65-3描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
系列PolarHV™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C420 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs49nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2500pF @ 25V
功率_最大360W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件

供应商

昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳勤思达科技有限公司吴086-0755-83268779
深圳市深科创科技有限公司吴先生/吴小姐/李小姐0755-83247290
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